Séria modulov InGaAS-APD

Fotoelektrické charakteristiky (＠Ta＝22±3℃)

Model

GD6510Y

GD6511Y

GD6512Y

Forma balíka

TO-8

TO-8

TO-8

Priemer fotocitlivého povrchu (mm)

0,2

0,5

0,08

Rozsah spektrálnej odozvy (nm)

1 000 až 1 700

1 000 až 1 700

1 000 až 1 700

Prierazné napätie (V)

30-70

30-70

30-70

Citlivosť M=10 l=1550nm (kV/W)

340

340

340

Čas vzostupu (ns)

5

10

2.3

Šírka pásma (MHz)

70

35

150

Ekvivalentný výkon šumu (pW/√Hz)

0,15

0,21

0,11

Teplotný koeficient pracovného napätia T=-40℃~85℃(V/℃)

0,12

0,12

0,12

Sústrednosť (μm)

≤50

≤50

≤50

Alternatívne modely s rovnakým výkonom na celom svete

C3059-1550-R2A

/

C3059-1550-R08B